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1Temperature Stability of MBE-Grown SixGe1-x-ySny-Structures with High Sn Content
D. Schwarz, I. Fischer, M. Oehme, P. Zaumseil, G. Capellini, J. Schulze 1st Joint Conference of International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) and International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSi), Potsdam, May 2018
vor 10 Monaten von @ihtpublikation
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1A reliable 40 GHz opto-electrical system for characterization of frequency response of Ge PIN photo detectors
W. Zhang, K. Ye, S. Bechler, K. Ulbricht, M. Oehme, E. Kasper, und J. Schulze. 2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), Seite 117-118. (Juni 2014)
vor 5 Monaten von @ihtpublikation
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2Germanium tin light emitters on silicon
E. Kasper, und M. Oehme. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS (April 2015)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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2SIMMWIC integration of millimeter-wave antenna with two terminal devices for medical applications
E. Kasper, und W. Zhang. 2015 IEEE 15th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, Seite 1-3. (Januar 2015)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1The Zener-Emitter: A novel superluminescent Ge optical waveguide-amplifier with 4.7 dB gain at 92 mA based on free-carrier modulation by direct Zener tunneling monolithically integrated on Si
R. Koerner, D. Schwaiz, I. Fischer, L. Augel, S. Bechler, L. Haenel, M. Kern, M. Oehme, E. Rolseth, B. Schwartz, D. Weisshaupt, W. Zhang, und J. Schulze. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Seite 22.5.1-22.5.4. (Dezember 2016)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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2Small-signal IMPATT diode characterization for mm-wave power generation in monolithic scenarios
W. Zhang, M. Oehme, K. Matthies, V. Stefani, A. Raju, E. Kasper, und J. Schulze. 2016 46th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Seite 109-112. (September 2016)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1The Zener-Emitter: Electron injection by direct-tunneling in Ge LEDs for the on-chip Si light source
R. Koerner, M. Oehme, K. Kostecki, I. Fischer, E. Rolseth, S. Bechler, M. Yorgidis, A. Blech, O. Latzl, und J. Schulze. 2016 74th Annual Device Research Conference (DRC), Seite 1-2. (Juni 2016)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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2(Si)GeSn nanostructures for optoelectronic device applications
I. Fischer, F. Oliveira, A. Benedetti, S. Chiussi, und J. Schulze. 2016 39th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO), Seite 1-4. (Mai 2016)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1Growth of patterned GeSn and GePb alloys by pulsed laser induced epitaxy
J. Schlipf, J. Frieiro, I. Fischer, C. Serra, J. Schulze, und S. Chiussi. 2017 40th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO), Seite 37-42. (Mai 2017)
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2Zener tunnel-injection for Ge optical amplifiers, lasers and modulators (invited)
R. Koerner, I. Fischer, M. Oehme, C. Clausen, und J. Schulze. 2017 IEEE 14th International Conference on Group IV Photonics (GFP), Seite 11-12. (August 2017)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1Ge PIN photodetectors with nanohole arrays for refractive index sensing
L. Augel, R. Körner, S. Bechler, J. Schulze, und I. Fischer. 2017 IEEE 14th International Conference on Group IV Photonics (GFP), Seite 161-162. (August 2017)
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1SiGeSn material for integrated optical devices
M. Oehme, D. Schwarz, J. Schulze, C. Clausen, und I. Fischer. Silicon Photonics: From Fundamental Research to Manufacturing, SPIE, (Mai 2018)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1FDTD simulation of enhanced Faraday effect in plasmonic composite structures with rectangularly arranged Au particles.
J. Schlipf, Y. Itabashi, T. Goto, H. Takagi, P. Lim, Y. Nakamura, I. Fischer, J. Schulze, H. Uchida, und M. Inoue. 2018 IEEE International Magnetic Conference (INTERMAG), Seite 1-2. (April 2018)
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1Tunnel Injection into Group IV Semiconductors and its Application to Light-Emitting Devices
C. Clausen, I. Fischer, N. Hoppe, R. Koerner, M. Oehme, D. Schwarz, und J. Schulze. 2018 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM), Seite 29-30. (Juli 2018)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1Simulation-based optimization of Ge-PIN-photodiodes with Al nanohole arrays for refractive index sensing
Y. Kawaguchi, L. Augel, H. Uchida, M. Inoue, J. Schulze, und I. Fischer. 2018 41st International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO), Seite 0023-0026. (Mai 2018)
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2Comparison of EL emitted by LEDs on Si substrates containing Ge and Ge/GeSn MQW as active layers
B. Schwartz, T. Arguirov, M. Kittler, M. Oehme, K. Kostecki, E. Kasper, und J. Schulze. Silicon Photonics X, SPIE, (Februar 2015)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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2Systematic characterization of Silicon IMPATT diode for Monolithic E-band amplifier design
W. Zhang, M. Oehme, K. Kostecki, K. Matthies, V. Stefani, E. Kasper, und J. Schulze. 2015 German Microwave Conference, Seite 135-138. (März 2015)
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1Plasmonics-integrated Ge PIN-photodetectors: efficiency enhancement by Al nanoantennas and plasmon detection
I. Fischer, L. Augel, S. Jitpakdeebodin, N. Franz, S. Fleischer, und J. Schulze. International Conference on Optics and Photonics 2015, SPIE, (Juni 2015)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1Plasmonic nanohole arrays on Si-Ge heterostructures: an approach for integrated biosensors
L. Augel, I. Fischer, L. Dunbar, S. Bechler, A. Berrier, D. Etezadi, F. Hornung, K. Kostecki, C. Ozdemir, M. Soler, H. Altug, und J. Schulze. Plasmonics in Biology and Medicine XIII, SPIE, (April 2016)
vor 7 Monaten von @ihtpublikation
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1Luminescence of strained Ge on GeSn virtual substrate grown on Si (001)
B. Schwartz, M. Oehme, R. Koerner, S. Bechler, J. Schulze, und M. Kittler. Silicon Photonics XII, SPIE, (Februar 2017)
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1Impact of Sn segregation on Ge1−xSnx epi-layers growth by RP-CVD
D. Weisshaupt, P. Jahandar, G. Colston, P. Allred, J. Schulze, und M. Myronov. 2017 40th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO), Seite 43-47. (Mai 2017)
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1The Zener-Emitter: A novel superluminescent Ge optical waveguide-amplifier with 4.7 dB gain at 92 mA based on free-carrier modulation by direct Zener tunneling monolithically integrated on Si

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1The Zener-Emitter: Electron injection by direct-tunneling in Ge LEDs for the on-chip Si light source

2(Si)GeSn nanostructures for optoelectronic device applications

1Growth of patterned GeSn and GePb alloys by pulsed laser induced epitaxy

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