Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Negative bias temperature instabilities in HfSiO(N)-based MOSFETs: Electrical characterization and modeling.

M. Houssa, M. Aoulaiche, S. Gendt, G. Groeseneken, und M. Heyns. Microelectronics Reliability, 47 (6): 880-889 (2007)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Dominic Marcello

Dipl.-Ing. Marc Riedlinger

An adaptive self-managing platform for cabin management systemsM. Riedlinger, O. Marquardt, R. Ahmadi, und R. Reichel. CEAS Aeronautical Journal, 7 (3): 483--498 (2016)

An adaptive self-managing platform for cabin management systemsM. Riedlinger, O. Marquardt, R. Ahmadi, und R. Reichel. CEAS Aeronautical Journal, 7 (3): 483--498 (2016)DIANA - Technologien für eine Energie-autarke, intelligente Kabine: Selbstadaptive Kabinenelektronik Plattform : Schlussbericht :M. Riedlinger, und R. Reichel. (2015)An adaptive middleware approach for fault-tolerant avionic systemsO. Marquardt, M. Riedlinger, R. Ahmadi, und R. Reichel. 2015 IEEE Aerospace Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), (März 2015)

Marc Gauger University of Stuttgart

Marc Schneider University of Stuttgart

Marc Bresser University of Stuttgart

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

NBTI reliability of Ni FUSI/HfSiON gates: Effect of silicide phase.A. Shickova, B. Kaczer, A. Veloso, M. Aoulaiche, M. Houssa, H. Maes, G. Groeseneken, und J. Kittl. Microelectronics Reliability, 47 (4-5): 505-507 (2007)Overview of 3D NAND Technologies and Outlook Invited Paper.S. Venkatesan, und M. Aoulaiche. NVMTS, Seite 1-5. IEEE, (2018)Impact of Off State Stress on advanced high-K metal gate NMOSFETs.A. Spessot, M. Aoulaiche, M. Cho, J. Franco, T. Schram, R. Ritzenthaler, und B. Kaczer. ESSDERC, Seite 365-368. IEEE, (2014)I/O thick oxide device integration using Diffusion and Gate Replacement (D&GR) gate stack integration.R. Ritzenthaler, T. Schram, M. Cho, A. Mocuta, N. Horiguchi, A. Thean, A. Spessot, C. Caillat, M. Aoulaiche, P. Fazan und 2 andere Autor(en). ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)Off-state stress degradation mechanism on advanced p-MOSFETs.M. Cho, A. Spessot, B. Kaczer, M. Aoulaiche, R. Ritzenthaler, T. Schram, P. Fazan, N. Horiguchi, und D. Linten. ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)Impact of Al2O3 position on performances and reliability in high-k metal gated DRAM periphery transistors.M. Aoulaiche, E. Simoen, R. Ritzenthaler, T. Schram, H. Arimura, M. Cho, T. Kauerauf, G. Groeseneken, N. Horiguchi, A. Thean und 8 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 190-193. IEEE, (2013)Assessment of SiGe quantum well transistors for DRAM peripheral applications.R. Ritzenthaler, T. Schram, G. Eneman, A. Mocuta, N. Horiguchi, A. Thean, A. Spessot, M. Aoulaiche, P. Fazan, K. Noh und 1 andere Autor(en). ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)Negative bias temperature instabilities in HfSiO(N)-based MOSFETs: Electrical characterization and modeling.M. Houssa, M. Aoulaiche, S. Gendt, G. Groeseneken, und M. Heyns. Microelectronics Reliability, 47 (6): 880-889 (2007)Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation.M. de Andrade, J. Martino, M. Aoulaiche, N. Collaert, E. Simoen, und C. Claeys. Microelectronics Reliability, 54 (11): 2349-2354 (2014)Reliability impact of advanced doping techniques for DRAM peripheral MOSFETs.A. Spessot, R. Ritzenthaler, T. Schram, M. Aoulaiche, M. Cho, M. Toledano-Luque, N. Horiguchi, und P. Fazan. ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)