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A 1.1 GHz 12 µA/Mb-Leakage SRAM Design in 65 nm Ultra-Low-Power CMOS Technology With Integrated Leakage Reduction for Mobile Applications.

Y. Wang, H. Ahn, U. Bhattacharya, Z. Chen, T. Coan, F. Hamzaoglu, W. Hafez, C. Jan, P. Kolar, S. Kulkarni, J. Lin, Y. Ng, I. Post, L. Wei, Y. Zhang, K. Zhang, und M. Bohr. J. Solid-State Circuits, 43 (1): 172-179 (2008)

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