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Device design issues for a high-performance technology with Si or SiGe epitaxial base

J. Burghartz, J. Cressler, K. Jenkins, J. Sun, J. Stork, J. Comfort, T. Brunner, und C. Stanis. Microelectronic Engineering, 15 (1-4): 11-14 (Oktober 1991)
DOI: 10.1016/0167-9317(91)90172-A

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