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Device Design Issues for a High-Performance Bipolar Technology with Si Or SiGe Epitaxial Base, , , , , , , und . Proceedings of the 21st European Solid State Device Research Conference, - ESSDERC ’91, 16 - 19 September 1991, Montreux, Switzerland, Seite 11-14. Amsterdam, Elsevier, (1991)A High Performance 0.25/spl mu/m CMOS, , , , , , , , , und 17 andere Autor(en). Digest of technical papers : 1993 Symposium on VLSI Technology : May 17 - 19, 1993, Kyoto, Seite 93-94. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1993)A high performance epitaxial SiGe-base ECL BiCMOS technology, , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). Technical digest : International Electron Devices Meeting 1992 : San Francisco, CA, December 13 - 16, 1992, Seite 19-22. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1992)Self-aligned SiGe-base heterojunction bipolar transistor by selective epitaxy emitter window (SEEW) technology, , , , , , , , und . IEEE Electron Device Letters, 11 (7): 288-290 (Juli 1990)75 GHz F-Sub-T SiGe-Base Heterojunction Bipolar Transistors, , , , , , , , , und . IEEE Electron Device Letters, 11 (4): 171-173 (April 1990)Novel Bipolar Transistor Isolation Structure Using Combined Selective Epitaxial Growth and Planarization Technique, , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). Proceedings of the 22nd European Solid State Device Research Conference Leuven, 14-17 September 1992, Seite 531-534. Amsterdam, Elsevier, (1992)SPIRIT : A Bipolar/BiCMOS Isolation Technology For High-Performance VLSI, , , , , , , , und . Digest of technical papers : 1993 Symposium on VLSI Technology : May 17 - 19, 1993, Kyoto, Seite 143-144. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1993)SiGe Heterojunction Bipolar Transistors, , , , , , und . (1990)Novel In-Situ Doped Polysilicon Emitter Process With Buried Diffusion Source (BDS), , , , , , , und . IEEE Electron Device Letters, 12 (12): 679-681 (Dezember 1991)Advanced Bipolar Technology for the 1990s, , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). 1991 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications : Proceedings of Technical Papers, Seite 269-273. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1991)