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Device Design Issues for a High-Performance Bipolar Technology with Si Or SiGe Epitaxial Base

J. Burghartz, J. Cressler, K. Jenkins, J. Sun, J. Stork, J. Comfort, T. Brunner, und C. Stanis. Proceedings of the 21st European Solid State Device Research Conference, - ESSDERC ’91, 16 - 19 September 1991, Montreux, Switzerland, Seite 11-14. Amsterdam, Elsevier, (1991)

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Univ. -Prof. Dr. -Ing. Joachim Burghartz University of Stuttgart

PD Dr. phil. Joachim Wündisch University of Stuttgart

Dr. Joachim Pfeiffer University of Stuttgart

Hon. -Prof. Dr. -Ing. Joachim Birk University of Stuttgart

Prof. iR Dr. -Ing. Joachim Speidel University of Stuttgart

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