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Novel Bipolar Transistor Isolation Structure Using Combined Selective Epitaxial Growth and Planarization Technique

J. Burghartz, J. Warnock, J. Cressler, C. Stanis, R. McIntosh, J. Sun, J. Comfort, J. Stork, K. Jenkins, E. Crabbé, W. Lee, und M. Gilbert. Microelectronic Engineering, 19 (1-4): 531-534 (September 1992)
DOI: 10.1016/0167-9317(92)90489-E

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