Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Impact of Al2O3 position on performances and reliability in high-k metal gated DRAM periphery transistors.

M. Aoulaiche, E. Simoen, R. Ritzenthaler, T. Schram, H. Arimura, M. Cho, T. Kauerauf, G. Groeseneken, N. Horiguchi, A. Thean, A. Federico, F. Crupi, A. Spessot, C. Caillat, P. Fazan, H. Na, Y. Son, und K. Noh. ESSDERC, Seite 190-193. IEEE, (2013)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Tom Ott University of Stuttgart

Tom Tenzer University of Stuttgart

Katharine Tomsich University of Stuttgart

Sandra Toms University of Stuttgart

Dr. phil. André Tomalka University of Stuttgart

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Mechanism of O2-anneal induced Vfb shifts of Ru gated stacks.Z. Li, T. Schram, L. Pantisano, A. Stesmans, T. Conard, S. Shamuilia, V. Afanasiev, A. Akheyar, S. Elshocht, D. Brunco und 5 andere Autor(en). Microelectronics Reliability, 47 (4-5): 518-520 (2007)Potential remedies for the VT/Vfb-shift problem of Hf/polysilicon-based gate stacks: a solution-based survey.W. Deweerd, V. Kaushik, J. Chen, Y. Shimamoto, T. Schram, L. Ragnarsson, A. Delabie, L. Pantisano, B. Eyckens, und J. Maes. Microelectronics Reliability, 45 (5-6): 786-789 (2005)Towards high performance sub-10nm finW bulk FinFET technology.T. Chiarella, S. Kubicek, E. Rosseel, R. Ritzenthaler, A. Hikavyy, P. Eyben, A. Keersgieter, L. Ragnarsson, M. Kim, S. Chew und 10 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 131-134. IEEE, (2016)WS2 transistors on 300 mm wafers with BEOL compatibility.T. Schram, Q. Smets, B. Groven, M. Heyne, E. Kunnen, A. Thiam, K. Devriendt, A. Delabie, D. Lin, M. Lux und 8 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 212-215. IEEE, (2017)Reliability impact of advanced doping techniques for DRAM peripheral MOSFETs.A. Spessot, R. Ritzenthaler, T. Schram, M. Aoulaiche, M. Cho, M. Toledano-Luque, N. Horiguchi, und P. Fazan. ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)Impact of Off State Stress on advanced high-K metal gate NMOSFETs.A. Spessot, M. Aoulaiche, M. Cho, J. Franco, T. Schram, R. Ritzenthaler, und B. Kaczer. ESSDERC, Seite 365-368. IEEE, (2014)Performance improvement of self-aligned HfO2/TaN and SiON/TaN nMOS transistors.T. Schram, L. Ragnarsson, G. Lujan, W. Deweerd, J. Chen, W. Tsai, K. Henson, R. Lander, J. Hooker, und J. Vertommen. Microelectronics Reliability, 45 (5-6): 779-782 (2005)I/O thick oxide device integration using Diffusion and Gate Replacement (D&GR) gate stack integration.R. Ritzenthaler, T. Schram, M. Cho, A. Mocuta, N. Horiguchi, A. Thean, A. Spessot, C. Caillat, M. Aoulaiche, P. Fazan und 2 andere Autor(en). ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)Off-state stress degradation mechanism on advanced p-MOSFETs.M. Cho, A. Spessot, B. Kaczer, M. Aoulaiche, R. Ritzenthaler, T. Schram, P. Fazan, N. Horiguchi, und D. Linten. ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2015)Impact of Al2O3 position on performances and reliability in high-k metal gated DRAM periphery transistors.M. Aoulaiche, E. Simoen, R. Ritzenthaler, T. Schram, H. Arimura, M. Cho, T. Kauerauf, G. Groeseneken, N. Horiguchi, A. Thean und 8 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 190-193. IEEE, (2013)