PUMA

Akademisches Publikationsmanagement
Publikationen sammeln, verwalten und teilen.

( en | de )

 

Disambiguierung von "Grasser, Tibor"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence.

, , , , , , und . Microelectronics Reliability, (2018)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Tibor Döpper University of Stuttgart

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Mixture of negative bias temperature instability and hot-carrier driven threshold voltage degradation of 130 nm technology p-channel transistors., , , , und . Microelectronics Reliability, 54 (9-10): 2310-2314 (2014)Stochastic charge trapping in oxides: From random telegraph noise to bias temperature instabilities.. Microelectronics Reliability, 52 (1): 39-70 (2012)ViennaCL - Linear Algebra Library for Multi- and Many-Core Architectures., , , , , , , und . SIAM J. Scientific Computing, (2016)Extraction of material parameters based on inverse modeling of three-dimensional interconnect fusing structures., , , , , und . Microelectronics Journal, 35 (10): 805-810 (2004)Improving SiC lateral DMOSFET reliability under high field stress., , , , und . Microelectronics Reliability, 43 (9-11): 1889-1894 (2003)Comparison of deposition models for a TEOS LPCVD process., , , , und . Microelectronics Reliability, 47 (4-5): 623-625 (2007)Reliability of next-generation field-effect transistors with transition metal dichalcogenides., , , , , , und . IRPS, Seite 5. IEEE, (2018)Origins and implications of increased channel hot carrier variability in nFinFETs., , , , , , , , , und 11 andere Autor(en). IRPS, Seite 3. IEEE, (2015)Impact of gate poly doping and oxide thickness on the N- and PBTI in MOSFETs., , , und . Microelectronics Reliability, 51 (9-11): 1530-1534 (2011)Discretization of Macroscopic Transport Equations on Non-Cartesian Coordinate Systems., und . IEEE Trans. on CAD of Integrated Circuits and Systems, 26 (8): 1408-1416 (2007)