Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

An 8GB/s quad-skew-cancelling parallel transceiver in 90nm CMOS for high-speed DRAM interface., , , , , , , und . ISSCC, Seite 136-138. IEEE, (2012)A 40 mV-Differential-Channel-Swing Transceiver Using a RX Current-Integrating TIA and a TX Pre-Emphasis Equalizer With a CML Driver at 9 Gb/s., , , , , , , , und . IEEE Trans. on Circuits and Systems, 63-I (1): 122-133 (2016)A 1.2 V 20 nm 307 GB/s HBM DRAM With At-Speed Wafer-Level IO Test Scheme and Adaptive Refresh Considering Temperature Distribution., , , , , , , , , und 9 andere Autor(en). J. Solid-State Circuits, 52 (1): 250-260 (2017)Dual-Loop Two-Step ZQ Calibration for Dynamic Voltage-Frequency Scaling in LPDDR4 SDRAM., , , , , , , , , und 13 andere Autor(en). J. Solid-State Circuits, 53 (10): 2906-2916 (2018)A 7.5Gb/s/pin LPDDR5 SDRAM With WCK Clocking and Non-Target ODT for High Speed and With DVFS, Internal Data Copy, and Deep-Sleep Mode for Low Power., , , , , , , , , und 20 andere Autor(en). ISSCC, Seite 378-380. IEEE, (2019)Field emission characteristics of an oxidized porous polysilicon field emitter using the electrochemical oxidation process., , , , , und . Microelectronics Journal, 37 (9): 993-996 (2006)A 40nm 2Gb 7Gb/s/pin GDDR5 SDRAM with a programmable DQ ordering crosstalk equalizer and adjustable clock-tracking BW., , , , , , , , , und 19 andere Autor(en). ISSCC, Seite 498-500. IEEE, (2011)A 7 Gb/s/pin 1 Gbit GDDR5 SDRAM With 2.5 ns Bank to Bank Active Time and No Bank Group Restriction., , , , , , , , , und 20 andere Autor(en). J. Solid-State Circuits, 46 (1): 107-118 (2011)18.2 A 1.2V 20nm 307GB/s HBM DRAM with at-speed wafer-level I/O test scheme and adaptive refresh considering temperature distribution., , , , , , , , , und 11 andere Autor(en). ISSCC, Seite 316-317. IEEE, (2016)A 5Gb/s/pin 16Gb LPDDR4/4X Reconfigurable SDRAM with Voltage-High Keeper and a Prediction-based Fast-tracking ZQ Calibration., , , , , , , , , und 14 andere Autor(en). VLSI Circuits, Seite 114-. IEEE, (2019)