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A Variation-Tolerant Sub-200 mV 6-T Subthreshold SRAM.

B. Zhai, S. Hanson, D. Blaauw, und D. Sylvester. J. Solid-State Circuits, 43 (10): 2338-2348 (2008)

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T. Ertl

Dr. Marie Davidova University of Stuttgart

T. Vietor

T. Maier

T. Maier

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