Autor der Publikation

Ion-Implanted Base SiGe PNP Self-Aligned SEEW Transistors

, , , , , , , , , und . Proceedings of the 1991 Bipolar Circuits and Technology Meeting, Minneapolis Marriott City Center Hotel, September 9 - 10, 1991, Seite 75-78. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1991)
DOI: 10.1109/BIPOL.1991.160960

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Novel Bipolar Transistor Isolation Structure Using Combined Selective Epitaxial Growth and Planarization Technique, , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). Proceedings of the 22nd European Solid State Device Research Conference Leuven, 14-17 September 1992, Seite 531-534. Amsterdam, Elsevier, (1992)SPIRIT : A Bipolar/BiCMOS Isolation Technology For High-Performance VLSI, , , , , , , , und . Digest of technical papers : 1993 Symposium on VLSI Technology : May 17 - 19, 1993, Kyoto, Seite 143-144. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1993)Novel In-Situ Doped Polysilicon Emitter Process With Buried Diffusion Source (BDS), , , , , , , und . IEEE Electron Device Letters, 12 (12): 679-681 (Dezember 1991)Identification of perimeter depletion and emitter plug effects in deep-submicrometer, shallow-junction polysilicon emitter bipolar transistors, , , , und . IEEE Transactions on Electron Devices, 39 (6): 1477-1489 (Juni 1992)Self-aligned SiGe-base heterojunction bipolar transistor by selective epitaxy emitter window (SEEW) technology, , , , , , , , und . IEEE Electron Device Letters, 11 (7): 288-290 (Juli 1990)Profile Leverage in Self-Aligned Epitaxial Si Or SiGe Base Bipolar Transistors, , , , , , , , , und 6 andere Autor(en). Electron Devices Meeting, 1990 : IEDM '90 : Technical Digest : International, Seite 21-24. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1990)A Low-Capacitance Bipolar/BiCMOS Isolation Technology : I : Concept, Fabrication Process, and Characterization, , und . IEEE Transactions on Electron Devices, 41 (8): 1379-1387 (August 1994)Self-aligned bipolar epitaxial base n-p-n transistors by selective epitaxy emitter window (SEEW) technology, , , , , , , und . IEEE Transactions on Electron Devices, 38 (2): 378-385 (Februar 1991)Ion-Implanted Base SiGe PNP Self-Aligned SEEW Transistors, , , , , , , , , und . Proceedings of the 1991 Bipolar Circuits and Technology Meeting, Minneapolis Marriott City Center Hotel, September 9 - 10, 1991, Seite 75-78. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1991)Device design issues for a high-performance technology with Si or SiGe epitaxial base, , , , , , , und . Microelectronic Engineering, 15 (1-4): 11-14 (Oktober 1991)