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Characterization of the Junction Temperature of SiC Power Devices via Quasi-Threshold Voltage as Temperature Sensitive Electrical Parameter

K. Sharma, K. Muñoz Barón, J. Ruthardt, J. Hückelheim, D. Koch, F. Münzenmayer, und I. Kallfass. in Proc. 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, CIPS, Berlin, (2020)

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