Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Formation of Mn5Ge3 on a Recess-Etched Ge (111) Quantum-Well Structure for Semiconductor Spintronics, , , , , , , , und . 2021 44th International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO), Seite 45-49. (September 2021)Process Optimizations for Ge-On-Si Depletion Mode Transistors Using Mesa Architecture, , , , , und . 2022 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Seite 1-4. (Dezember 2022)Composition and magnetic properties of thin films grown by interdiffusion of Mn and Sn-Rich, Ge lattice matched SixGe1-x-ySny layers, , , , , , , und . Journal of Magnetism and Magnetic Materials, (März 2022)Weak localization and weak antilocalization in doped Ge1-ySny layers with up to 8% Sn, , , , , , , , , und . Journal of physics. Condensed matter, 33 (8): 085703 (2021)Hybrid Spintronic Materials from Conducting Polymers with Molecular Quantum Bits, , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). Advanced functional materials, 31 (7): 2006882 (2021)A Steep Slope MBE-Grown Thin p-Ge Channel FETs on Bulk Ge-on-Si Using HZO Internal Voltage Amplification, , , , , , und . IEEE transactions on electron devices, 69 (5): 2725-2731 (2022)Composition and magnetic properties of thin films grown by interdiffusion of Mn and Sn-Rich, Ge lattice matched SixGe1-x-ySny layers, , , , , , , und . Journal of magnetism and magnetic materials, (2022)Electrical Characterization of SiGeSn/Ge/GeSn-pin-Heterodiodes at Low Temperatures., , , , , , , und . MIPRO, Seite 55-59. IEEE, (2021)High mobility Ge 2DHG based MODFETs for low-temperature applications, , , , , , , und . Semiconductor science and technology, 38 (3): 035007 (2023)Inverse spin-Hall effect in GeSn, , , , , , , , und . Applied Physics Letters, 118 (21): 212402 (2021)