PUMA

Akademisches Publikationsmanagement
Publikationen sammeln, verwalten und teilen.

( en | de )

 

Disambiguierung von "Waltereit, P."

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Static and Dynamic Characterization of a Monolithic Integrated Temperature Sensor in a 600 V GaN Power IC

, , , , , , und . in. Proc. PCIM Europe, Nuremberg, Germany, (Mai 2020)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

P. Krasteva

P. Hommel

P. Abegglen

P. E. Bl\"ochl

Philipp P. Hallmen

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Monolithic Integrated AlGaN/GaN Power Converter Topologies on High-Voltage AlN/GaN Superlattice Buffer, , , , , , , , , und 1 andere Autor(en). Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science, (September 2020)Integrated Current Sensing in GaN Power ICs, , , , , und . in Proc. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), (2019)Single-Input GaN Gate Driver based on Depletion-Mode Logic integrated with a 600 V GaN-on-Si Power Transistor, , , , , , und . in Proc. 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, (2016)A 600 V p-GaN Gate HEMT with Intrinsic Freewheeling Schottky-Diode in a GaN Power IC with Bootstrapped Driver and Sensors, , , , , und . in Proc. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), (2020)GaN Active Diode for Low-Loss Rectification, , , , , , und . in. Proc. 33nd IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), (2021)Static and Dynamic Characterization of a Monolithic Integrated Temperature Sensor in a 600 V GaN Power IC, , , , , , und . PCIM Europe digital days 2020; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Seite 1-7. (Juli 2020)A GaN-on-Si Based Logic, Driver and DC-DC Converter Circuit with Closed-Loop Peak Current-Mode Control, , , , , und . in. Proc. PCIM Europe, Nuremberg, Germany, (Mai 2019)Large-Area Lateral AlGaN/GaN-on-Si Field-Effect Rectifier with 0.2 V Turn-On Voltage, , , , , und . IEEE Electron Device Letters, 41 (7): 993-996 (Mai 2020)Capacitive Characteristics of GaN Half-Bridges for Various Si and SOI Substrate Terminations, , , , und . in Proc. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), (2021)Effect of Substrate Termination on Turn-On Switching Time in High-Voltage GaN-on-Si IC with 600 V HEMT and Gate Driver, , , , , , und . in Proc. 5th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, (2017)