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A 600 V p-GaN Gate HEMT with Intrinsic Freewheeling Schottky-Diode in a GaN Power IC with Bootstrapped Driver and Sensors

, , , , , und . in Proc. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), (2020)

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S. Schumann

S. Seemann

S. Wartzack

Boettinger S

S. Toro

 

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