Autor der Publikation

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Guidelines for intermediate back end of line (BEOL) for 3D sequential integration., , , , , , , , , und 18 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 252-255. IEEE, (2017)Opportunities brought by sequential 3D CoolCube™ integration., , , , , , , , , und 11 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 226-229. IEEE, (2016)Recent advances in 3D VLSI integration., , , , , , , , , und 7 andere Autor(en). ICICDT, Seite 1-4. IEEE, (2016)FDSOI bottom MOSFETs stability versus top transistor thermal budget featuring 3D monolithic integration., , , , , , , , , und 6 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 110-113. IEEE, (2014)Transistor Temperature Deviation Analysis in Monolithic 3D Standard Cells., , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). ISVLSI, Seite 539-544. IEEE Computer Society, (2017)Precise EOT regrowth extraction enabling performance analysis of low temperature extension first devices., , , , , , , , , und 5 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 144-147. IEEE, (2017)A review on opportunities brought by 3D-monolithic integration for CMOS device and digital circuit., , , , , , , , und . ICICDT, Seite 141-144. IEEE, (2018)Impact of intermediate BEOL technology on standard cell performances of 3D VLSI., , , , , , , , , und 3 andere Autor(en). ESSDERC, Seite 218-221. IEEE, (2016)