PUMA

Akademisches Publikationsmanagement
Publikationen sammeln, verwalten und teilen.

( en | de )

 

Disambiguierung von "Nafría, Montserrat"

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
Experimental Characterization of Time-Dependent Variability in Ring Oscillators.

, , , , , , und . SMACD, Seite 229-232. IEEE, (2019)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Keine Personen gefunden für den Autorennamen Nafría, Montserrat
Eine Person hinzufügen mit dem Namen Nafría, Montserrat
 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

A new approach to the modeling of oxide breakdown on CMOS circuits., , , und . Microelectronics Reliability, 44 (9-11): 1519-1522 (2004)FinFET and MOSFET preliminary comparison of gate oxide reliability., , , , , und . Microelectronics Reliability, 46 (9-11): 1608-1611 (2006)Reversible dielectric breakdown in ultrathin Hf based high-k stacks under current-limited stresses., , , , und . Microelectronics Reliability, 49 (9-11): 1024-1028 (2009)Trapped charge and stress induced leakage current (SILC) in tunnel SiO2 layers of de-processed MOS non-volatile memory devices observed at the nanoscale., , , , , und . Microelectronics Reliability, 49 (9-11): 1188-1191 (2009)A New Time Efficient Methodology for the Massive Characterization of RTN in CMOS Devices., , , , , , , , und . IRPS, Seite 1-5. IEEE, (2019)Characterising the surface roughness of AFM grown SiO2 on Si., , , , und . Microelectronics Reliability, 41 (7): 1077-1079 (2001)Conduction and Breakdown Behaviour of Atomic Force Microscopy Grown SiO2 Gate Oxide on MOS Structures., , und . Microelectronics Reliability, 42 (9-11): 1513-1516 (2002)Nanometer-scale leakage measurements in high vacuum on de-processed high-k capacitors., , , , , und . Microelectronics Reliability, 48 (8-9): 1521-1524 (2008)Pre-breakdown noise in electrically stressed thin SiO2 layers of MOS devices observed with C-AFM., , , und . Microelectronics Reliability, 43 (8): 1203-1209 (2003)Local current fluctuations before and after breakdown of thin SiO2 films observed with conductive atomic force microscope., , , , , und . Microelectronics Reliability, 41 (7): 1041-1044 (2001)