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Comparative study of AlGaN/GaN HEMTs robustness versus buffer design variations by applying Electroluminescence and electrical measurements.

P. Ivo, A. Glowacki, E. Bahat-Treidel, R. Lossy, J. Würfl, C. Boit, und G. Tränkle. Microelectronics Reliability, 51 (2): 217-223 (2011)

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