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63-75 GHz F-Sub-T SiGe-Base Heterojunction Bipolar Technology

G. Patton, J. Comfort, B. Meyerson, E. Crabbé, G. Scilla, E. de Fresart, J. Stork, J. Sun, D. Harame, und J. Burghartz. Digest of Technical Papers : 1990 Symposium on VLSI Technology, Seite 49-50. Piscataway, New Jersey, IEEE, (1990)
DOI: 10.1109/VLSIT.1990.111002

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Univ. -Prof. Dr. Bernard Haasdonk University of Stuttgart

S. Schumann

S. Seemann

S. Wartzack

Boettinger S

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