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A comparative study on device degradation under a positive gate stress and hot carrier stress in InGaZnO thin film transistors.

H. Jang, S. Lee, C. Yu, und J. Park. Microelectronics Reliability, 53 (9-11): 1814-1817 (2013)

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Wei Yu University of Stuttgart

Yasemin Gündüz University of Stuttgart

Dr. Levent Günes University of Stuttgart

Maiken Günther University of Stuttgart

Yiwen Yuan University of Stuttgart

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