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Electrical properties of hafnium silicate films obtained from a single-source MOCVD precursor.

M. Lemberger, A. Paskaleva, S. Zürcher, A. Bauer, L. Frey, und H. Ryssel. Microelectronics Reliability, 45 (5-6): 819-822 (2005)

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Dr. -Ing. Markus Antoni University of Stuttgart

Anton Doroschkin University of Stuttgart

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J. K\"astner

J. Schwarz

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