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Analysis of hot carrier effects in a 0.35 µm high voltage n-channel LDMOS transistor.

H. Enichlmair, S. Carniello, J. Park, und R. Minixhofer. Microelectronics Reliability, 47 (9-11): 1439-1443 (2007)

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Hon. -Prof. Dr. -Ing. Hubert Ehbing University of Stuttgart

Dr. Hubert Keller University of Stuttgart

PD Dr. -Ing. Hubert Effenberger University of Stuttgart

Hubert Fußhoeller University of Stuttgart

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