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Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems.

M. Dammann, W. Pletschen, P. Waltereit, W. Bronner, R. Quay, S. Müller, M. Mikulla, O. Ambacher, P. van der Wel, S. Murad, T. Rödle, R. Behtash, F. Bourgeois, K. Riepe, M. Fagerlind, und E. Sveinbjörnsson. Microelectronics Reliability, 49 (5): 474-477 (2009)

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