Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Epitaxial growth of strained and unstrained GeSn alloys up to 25% Sn

M. Oehme, K. Kostecki, M. Schmid, F. Oliveira, E. Kasper, und J. Schulze. Thin Solid Films, (2014)
DOI: 10.1016/j.tsf.2013.10.064

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Prof. Dr. Erich Kasper University of Stuttgart

Hon. -Prof. Dr. -Ing. Erich Schelkle University of Stuttgart

Prof. Dr. Erich Zahn University of Stuttgart

Kasper Christensen University of Stuttgart

Hon. -Prof. Dr. -Ing. Erich Reinhardt University of Stuttgart

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Monolithic SiGe Photodiode TechnologyG. Wöhl, C. Parry, E. Kasper, M. Jutzi, und M. Berroth. Joint Symposium on Opto- and Microelectronic Devices and Circuits (SODC), Seite 78--83. Stuttgart, Germany, (2002)Special Etch Technologies for Ge/Si DevicesG. Wöhl, M. Oehme, C. Parry, E. Kasper, M. Jutzi, M. Berroth, und E. Voorneman. (2003)High frequency behaviour of Ge pin junctionsE. Kasper, M. Oehme, J. Schulze, S. Klinger, und M. Berroth. International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Digest of papers, Seite 1--3. Sendai, Japan, (2010)Fast Ge p-i-n Photodetectors on SiE. Kasper, M. Oehme, J. Werner, M. Jutzi, und M. Berroth. International SiGe Technology and Device Meeting, Seite 1--2. Princeton, NJ, USA, (2006)Two-dimensional hole gases in SiGeSn alloysM. Oehme, E. Kasper, D. Weißhaupt, E. Sigle, T. Hersperger, M. Wanitzek, und D. Schwarz. Semiconductor science and technology, 37 (5): 055009 (2022)Influence of the modulation doping to the mobility of two-dimensional electron gases in Si/SiGeJ. Werner, M. Oehme, E. Kasper, und J. Schulze. Sixth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 518, 6, Supplement 1, Seite S234-S236. Amsterdam, Elsevier, (2010)Photocurrent Analysis of a Fast Ge p-i-n Detector on SiM. Oehme, J. Werner, E. Kasper, S. Klinger, und M. Berroth. Applied Physics Letters, 91 (5): 051108 (2007)Franz-Keldysh effect of Ge-on-Si pin diodes at common chip temperaturesM. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, M. Oehme, J. Werner, K. Ulbricht, E. Kasper, und J. Schulze. Integrated Photonics : Materials, Devices, and Applications II, 8767, Seite 87670C. SPIE, (2013)Resistance-capacitance limitation of fast double heterojunction Ge p-i-n photodetectorsM. Kaschel, M. Schmid, M. Gollhofer, M. Oehme, E. Kasper, und J. Schulze. Integrated Photonics : Materials, Devices, and Applications II, 8767, Seite 87670D. SPIE, (2013)GeSn p-i-n detectors integrated on Si with up to 4% SnM. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, D. Widmann, E. Kasper, und J. Schulze. Applied Physics Letters, 101 (14): 141110 (2012)