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A 3.8 GHz 153 Mb SRAM Design With Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45 nm High-k Metal Gate CMOS Technology.

F. Hamzaoglu, K. Zhang, Y. Wang, H. Ahn, U. Bhattacharya, Z. Chen, Y. Ng, A. Pavlov, K. Smits, und M. Bohr. J. Solid-State Circuits, 44 (1): 148-154 (2009)

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Hong Chen University of Stuttgart

Jihwan Ahn University of Stuttgart

Lena Ahner University of Stuttgart

Jun. -Prof. Sungkun Hong University of Stuttgart

Jun. -Prof. Sun Hea Hong University of Stuttgart

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