Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Soft-Switching Losses in GaN and SiC Power Transistors Based on New Calorimetric Measurements

J. Weimer, und I. Kallfass. 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Seite 455-458. Piscataway, NJ, IEEE, (2019)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Univ. -Prof. Dr. -Ing. Ingmar Kallfass University of Stuttgart

Ingmar Stoehr

Ingmar Stöhr

Univ. -Prof. Dr. Remco Ingmar Leine University of Stuttgart

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Millimeter-Wave Monolithic Integrated Circuits and Modules for Safety and Security Applications.M. Schlechtweg, A. Tessmann, A. Hülsmann, I. Kallfass, A. Leuther, R. Aidam, C. Zech, U. Lewark, H. Massler, M. Riessle und 3 andere Autor(en). Future Security, Volume 318 von Communications in Computer and Information Science, Seite 200-211. Springer, (2012)Performance comparison of raised cosine shaped and rectangular pulsed signals in E-band wireless communication systems.F. Boes, J. Antes, D. Meier, T. Messinger, D. Muller, R. Henneberger, A. Tessmann, und I. Kallfass. RWS, Seite 186-189. IEEE, (2015)Multi-gigabit data transmission using MMIC-based E-band frontends.J. Antes, F. Boes, D. Meier, U. Lewark, A. Tessmann, A. Leuther, R. Henneberger, und I. Kallfass. RWS, Seite 10-12. IEEE, (2014)A Novel Approach for the Modeling of the Dynamic ON-State Resistance of GaN-HEMTsM. Weiser, J. Hückelheim, und I. Kallfass. IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (9): 4302-4309 (September 2021)Comparison of Thermally Optimized SMD Packages for 100 V GaN HEMTs in 300 kHz Buck Converter High Current ApplicationsD. Koch, A. Sharma, T. Huesgen, und I. Kallfass. 2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), Seite 204-208. (November 2022)Instrumentation for the Time and Frequency Domain Characterization of Terahertz Communication Transceivers and their Building BlocksI. Kallfass, D. Wrana, B. Schoch, J. Hesler, M. Kohler, J. Teyssier, und J. Dunsmore. 2023 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2023, Seite 1030-1033. (Juni 2023)Characterization of the Junction Temperature of SiC Power Devices via Quasi-Threshold Voltage as Temperature Sensitive Electrical ParameterK. Sharma, K. Muñoz Barón, J. Ruthardt, J. Hueckelheim, D. Koch, F. Muenzenmayer, und I. Kallfass. CIPS 2020; 11th International Conference on Integrated Power Electronics Systems, Seite 1-6. Berlin, Germany, (März 2020)Accounting for Acquisition Circuit Temperature in Accurate Online Junction Temperature EstimationK. Muñoz Barón, K. Sharma, M. Nitzsche, und I. Kallfass. 2021 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'21 ECCE Europe), Piscataway, IEEE, (2021)Accuracy Study of Calorimetric Switching Loss Energy Measurements for Wide Bandgap Power TransistorsJ. Weimer, D. Koch, und I. Kallfass. 2021 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'21 ECCE Europe), Piscataway, IEEE, (2021)A Three Stage Gain Cell Topology with an Active Ultra-Wideband Input Matching in H-BandA. Gatzastras, H. Massler, A. Leuther, S. Chartier, und I. Kallfass. 2020 15th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Seite 245-248. Piscataway, IEEE, (2021)