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Determination of Suitable mHEMT Transistor Dimensioning for Power Amplification at 210 GHz by Comprehensive Measurements

S. Diebold, I. Kallfass, H. Massler, A. Leuther, A. Tessmann, P. Pahl, S. Koch, M. Siegel, und O. Ambacher. in Proc. 5th European Microwave Integrated Circuit Conf., Paris, (2010)

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Christien Siegel University of Stuttgart

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