Autor der Publikation

Analysis of EL Emitted by LEDs on Si Substrates Containing GeSn/Ge Multi Quantum Wells as Active Layers

, , , , , , , und . Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI, 242, Seite 361-367. Pfaffikon, Trans Tech Publications, (2016)
DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.242.361

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Electroluminescence of GeSn/Ge MQW LEDs on Si substrate, , , , , , , , , und 2 andere Autor(en). Opt. Lett., 40 (13): 3209--3212 (Juli 2015)Room Temperature Direct Band Gap Emission from Ge p-i-n Heterojunction Photodiodes, , , , , und . Advances in OptoElectronics, (2012)Dislocation luminescence in highly doped degenerated germanium at room temperature, , , , und . physica status solidi c, 10 (1): 56-59 (2013)Ge and GeSn Light Emitters on Si, , , , , , , , und . Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI, Volume 242 von Solid State Phenomena, Seite 353-360. Trans Tech Publications, (2016)Room Temperature Direct Band-Gap Emission from an Unstrained Ge P-I-N LED on Si, , , , , und . Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XIV : GADEST 2011, 178, Seite 25-30. Durnten, Trans Tech Publications, (2011)Luminescence of strained Ge on GeSn virtual substrate grown on Si (001), , , , , und . Silicon Photonics XII, 10108, Seite 101080D. SPIE, (2017)Analysis of EL Emitted by LEDs on Si Substrates Containing GeSn/Ge Multi Quantum Wells as Active Layers, , , , , , , und . Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI, 242, Seite 361-367. Pfaffikon, Trans Tech Publications, (2016)