PUMA

Akademisches Publikationsmanagement
Publikationen sammeln, verwalten und teilen.

( en | de )

 

Disambiguierung von "Burghartz, J.N."

Autor der Publikation

KopierenLöschenDiese Publikation zur Ablage hinzufügen
VTH-Engineering using Nanostructure Recessing in AlGaN/GaN MISHEMT Devices

, , , , , , und . GaN Marathon, (2024)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Univ. -Prof. Dr. -Ing. Joachim Burghartz University of Stuttgart

 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

RF-Characterisation of AlGaN/GaN HEMTs on Large-Diameter High-Resistivity Silicon Substrates, , , , , , , und . GaN Marathon, Venice, (2022)On the Design, Development and Modeling of a New Generation of HEMTs for Industrial Purposes, , , , , und . in Proc. URSI-Spain National Congress, (2023)VTH-Engineering using Nanostructure Recessing in AlGaN/GaN MISHEMT Devices, , , , , , und . GaN Marathon, (2024)Review of add-on process modules for high-frequency silicon technology. Microelectronics Reliability, 45 (3): 409 - 418 (2005)Development and RF-Performance of AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs on Large-Diameter High-Resistivity Silicon Substrates, , , , , , , und . in Proc. 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Milano, (2022)Frequency-Characterization and Modeling of AlGaN/GaN HEMTs for High-Power Applications, , , , , , , , und . in Proc. Int. Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetrewave Circuits (INMMIC), (2022)Low-Power AlGaN/GaN Pressure Sensors with High Sensitivity, , , , , , und . GaN Marathon, (2024)Low-Power AlGaN/GaN Pressure Sensors for Harsh Environmental Conditions with High Sensitivity, , , , , , und . Power Electronic Devices and Components (PEDC), Elsevier, (2024)Roadmap to Gigahertz Organic Transistors., , , , , , , , , und . Adv. Funct. Materials, 30 (20): 1903812 (2019)