Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Low-Power AlGaN/GaN Pressure Sensors with High Sensitivity

M. Moser, M. Pradhan, I. Emal, B. Satabdi, M. Kaschel, I. Kallfass, und J. Burghartz. GaN Marathon, (2024)

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

M. Nudischer

M. Kratzer

M. Liewald

M. Fittingho

M. Christmann

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

VTH-Engineering using Nanostructure Recessing in AlGaN/GaN MISHEMT DevicesM. Moser, M. Pradhan, I. Emal, B. Satabdi, M. Kaschel, I. Kallfass, und J. Burghartz. GaN Marathon, (2024)Development and RF-Performance of AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs on Large-Diameter High-Resistivity Silicon SubstratesM. Moser, I. Kallfass, B. Schoch, M. Alomari, M. Pradhan, A. Garcia-Luque, T. Martin-Guerrero, und J. Burghartz. in Proc. 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Milano, (2022)Frequency-Characterization and Modeling of AlGaN/GaN HEMTs for High-Power ApplicationsA. Garcia-Luque, T. Martin-Guerrero, M. Pradhan, M. Moser, M. Alomari, J. Burghartz, B. Schoch, K. Sharma, und I. Kallfass. in Proc. Int. Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetrewave Circuits (INMMIC), (2022)Low-Power AlGaN/GaN Pressure Sensors with High SensitivityM. Moser, M. Pradhan, I. Emal, B. Satabdi, M. Kaschel, I. Kallfass, und J. Burghartz. GaN Marathon, (2024)Low-Power AlGaN/GaN Pressure Sensors for Harsh Environmental Conditions with High SensitivityM. Moser, M. Pradhan, I. Emal, B. Satabdi, M. Kaschel, I. Kallfass, und J. Burghartz. Power Electronic Devices and Components (PEDC), Elsevier, (2024)RF-Characterisation of AlGaN/GaN HEMTs on Large-Diameter High-Resistivity Silicon SubstratesI. Kallfass, B. Schoch, M. Alomari, M. Moser, M. Pradhan, A. Garcia-Luque, T. Martin-Guerrero, und J. Burghartz. GaN Marathon, Venice, (2022)Development and RF-Performance of AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs on Large-Diameter High-Resistivity Silicon SubstratesM. Moser, M. Pradhan, M. Alomari, B. Schoch, K. Sharma, I. Kallfass, A. Garcia-Luque, T. Martin-Guerrero, und J. Burghartz. 2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference, Seite 80-83. Piscataway, NJ, IEEE, (2022)Circular BIST with Partial Scan.M. Pradhan, E. O'Brien, S. Lam, und J. Beausang. ITC, Seite 719-729. IEEE Computer Society, (1988)A Novel Scaling Criterion for Optimal Trade-off Between Time and Frequency Resolution in S-transform.N. Singh, und P. Pradhan. SPCOM, Seite 212-216. IEEE, (2018)CHARIOT: a domain specific language for extensible cyber-physical systems.S. Pradhan, A. Dubey, A. Gokhale, und M. Lehofer. DSM@SPLASH, Seite 9-16. ACM, (2015)