ingmarkallfass > Dielectric, | PUMA

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1PECVD SiNx passivation with more than 8 MV/cm breakdown strength for GaN-on-Si wafer stress management
M. Moser, M. Pradhan, M. Alomari, M. Heuken, T. Schmitt, I. Kallfass, und J. Burghartz. Power Electronic Devices and Components, (2023)
vor 19 Tagen von @ingmarkallfass
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Dielectric,GaN-on-Si,Multi-layer,PECVD,Power,SiN,SiO,Stress
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