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Silicon dioxide deposited by ECR-PECVD for low-temperature Si devices processing.

A. Pecora, L. Maiolo, A. Bonfiglietti, M. Cuscunà, F. Mecarini, L. Mariucci, G. Fortunato, und N. Young. Microelectronics Reliability, 45 (5-6): 879-882 (2005)

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