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A 600V p-GaN Gate HEMT with Intrinsic Freewheeling Schottky-Diode in a GaN Power IC with Bootstrapped Driver and Sensors

S. Mönch, R. Reiner, P. Waltereit, S. Müller, R. Quay, O. Ambacher, und I. Kallfass. 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Seite 254-257. Piscataway, IEEE, (2020)
DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170089

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Alexander Müller

Timo Müller University of Stuttgart

Niklas Müller University of Stuttgart

Theresa Müller University of Stuttgart

Johannes Müller University of Stuttgart

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