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A smartphone SP10T T/R switch in 180-nm SOI CMOS with 8kV+ ESD protection by co-design.

X. Wang, X. Wang, F. Lu, L. Wang, R. Ma, Z. Dong, L. Sun, A. Wang, C. Yue, D. Wang, und A. Joseph. CICC, Seite 1-4. IEEE, (2013)

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Xiao Fei University of Stuttgart

Hao Lu University of Stuttgart

Yong Lu University of Stuttgart

Carolin Feifel University of Stuttgart

Mathias Feinler University of Stuttgart

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