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Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure.

M. Meneghini, O. Hilt, C. Fleury, R. Silvestri, M. Capriotti, G. Strasser, D. Pogany, E. Bahat-Treidel, F. Brunner, A. Knauer, J. Würfl, I. Rossetto, E. Zanoni, G. Meneghesso, und S. Dalcanale. Microelectronics Reliability, (2016)

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Dr. Michael Hilt University of Stuttgart

Oliver Sawodny

Oliver Bischoff University of Stuttgart

Oliver Scheel University of Stuttgart

Hon. -Prof. Dr. Oliver Schwarz University of Stuttgart

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