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A Low Phase Noise, Wide Tuning Range 20GHz Magnetic-Coupled Hartley-VCO in a 28nm CMOS Technology.

D. Reiter, H. Li, H. Knapp, J. Kammere, S. Majied, B. Sene, und N. Pohl. RWS, Seite 1-3. IEEE, (2019)

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Jonas Knapp University of Stuttgart

Hon. -Prof. Dr. Herbert Kohler University of Stuttgart

Univ. -Prof. Dr. -Ing. Herbert Wehlan University of Stuttgart

Dr. Herbert Dilger University of Stuttgart

Prof. (Ruhestand) Herbert Traub University of Stuttgart

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A Low Phase Noise, Wide Tuning Range 20GHz Magnetic-Coupled Hartley-VCO in a 28nm CMOS Technology.D. Reiter, H. Li, H. Knapp, J. Kammere, S. Majied, B. Sene, und N. Pohl. RWS, Seite 1-3. IEEE, (2019)Low Power Wideband Receiver and Transmitter Chipset for mm-Wave Imaging in SiGe Bipolar Technology.M. Tiebout, H. Wohlmuth, H. Knapp, R. Salerno, M. Druml, M. Rest, J. Kaeferboeck, J. Wuertele, S. Ahmed, A. Schiessl und 2 andere Autor(en). J. Solid-State Circuits, 47 (5): 1175-1184 (2012)A 122-GHz SiGe-Based Signal-Generation Chip Employing a Fundamental-Wave Oscillator With Capacitive Feedback Frequency-Enhancement.M. Jahn, H. Knapp, und A. Stelzer. J. Solid-State Circuits, 46 (9): 2009-2020 (2011)An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology.S. Trotta, H. Knapp, K. Aufinger, T. Meister, J. Bock, B. Dehlink, W. Simbürger, und A. Scholtz. J. Solid-State Circuits, 42 (10): 2099-2106 (2007)SiGe BiCMOS technology and circuits for active safety systems.F. Dielacher, M. Tiebout, R. Lachner, H. Knapp, K. Aufinger, und W. Sansen. VLSI-DAT, Seite 1-4. IEEE, (2014)38 GHz low-power static frequency divider in SiGe bipolar technology.G. Ritzberger, J. Böck, H. Knapp, L. Treitinger, und A. Scholtz. ISCAS (4), Seite 413-416. IEEE, (2002)Dielectric thinning model applied to metal insulator metal capacitors with Al2O3 dielectric.K. Allers, J. Böck, S. Boguth, K. Goller, H. Knapp, und R. Lachner. Microelectronics Reliability, 49 (12): 1520-1528 (2009)A 79GHz SiGe-Bipolar Spread-Spectrum TX for Automotive Radar.S. Trotta, H. Knapp, D. Dibra, K. Aufinger, T. Meister, J. Böck, W. Simbürger, und A. Scholtz. ISSCC, Seite 430-613. IEEE, (2007)A 3.8-mW 2.5-GHz dual-modulus prescaler in a 0.8 µm silicon bipolar production technology.H. Knapp, W. Wilhelm, M. Rest, und H. Trost. ISLPED, Seite 20-23. ACM, (1998)