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A 112-GS/s 1-to-4 ADC front-end with more than 35-dBc SFDR and 28-dB SNDR up to 43-GHz in 130-nm SiGe BiCMOS

X. Du, M. Grözing, A. Uhl, S. Park, F. Buchali, K. Schuh, S. Le, und M. Berroth. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), Seite 215--218. Boston, MA, USA, (2019)
DOI: 10.1109/RFIC.2019.8701786

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Dr. Isabell Thaidigsmann University of Stuttgart

Malte Sönnichsen University of Stuttgart

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