Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

Franz–Keldysh effect of germanium-on-silicon p–i–n diodes within a wide temperature range

M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, M. Oehme, J. Werner, E. Kasper, und J. Schulze. Thin Solid Films, (Dezember 2012)
DOI: 10.1016/j.tsf.2012.10.087

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

M. Nudischer

M. Kratzer

M. Liewald

M. Fittingho

M. Christmann

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Si Esaki diodes with high peak to valley current ratiosM. Oehme, D. Hähnel, J. Werner, M. Kaschel, O. Kirfel, E. Kasper, und J. Schulze. Applied Physics Letters, 95 (24): 242109 (2009)Franz–Keldysh effect of germanium-on-silicon p–i–n diodes within a wide temperature rangeM. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, M. Oehme, J. Werner, E. Kasper, und J. Schulze. Thin Solid Films, (Dezember 2012)Germanium photodetectors on Silicon-on-insulator grown with differential molecular beam epitaxy in silicon wellsM. Kaschel, M. Schmid, M. Oehme, J. Werner, und J. Schulze. Solid-State Electronics, 60 (1): 105-111 (2011)Germanium on Silicon Photodetectors with Broad Spectral RangeM. Oehme, M. Kaschel, J. Werner, O. Kirfel, M. Schmid, B. Bahouchi, E. Kasper, und J. Schulze. Journal of The Electrochemical Society, 157 (2): H144 (2010)Antimony doped Si Esaki diodes without post growth annealingM. Oehme, O. Kirfel, J. Werner, M. Kaschel, E. Kasper, und J. Schulze. Sixth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 518, 6, Supplement 1, Seite S65-S67. Amsterdam, Elsevier, (2010)GeSn p-i-n detectors integrated on Si with up to 4% SnM. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, D. Widmann, E. Kasper, und J. Schulze. Applied Physics Letters, 101 (14): 141110 (2012)Very High Room-Temperature Peak-to-Valley Current Ratio in Si Esaki Tunneling Diodes (March 2010)M. Oehme, M. Sarlija, D. Hähnel, M. Kaschel, J. Werner, E. Kasper, und J. Schulze. IEEE Transactions on Electron Devices, 57 (11): 2857-2863 (2010)Germanium-tin p-i-n photodetectors integrated on silicon grown by molecular beam epitaxyJ. Werner, M. Oehme, M. Schmid, M. Kaschel, A. Schirmer, E. Kasper, und J. Schulze. Applied Physics Letters, 98 (6): 061108 (2011)Franz-Keldysh effect of germanium-on-silicon p-i-n diodes within a wide temperature rangeM. Schmid, M. Kaschel, M. Gollhofer, M. Oehme, J. Werner, E. Kasper, und J. Schulze. Thin Solid Films, (2012)High speed opto-electronic receiver with a 3-dB bandwidth of 22 GHzM. Rosa, D. Ferenci, T. Föhn, W. Vogel, M. Berroth, M. Kaschel, M. Schmidt, M. Oehme, E. Kasper, und J. Schulze. International Symposium on Mircowave and OPtical Technology Proceedings, (2015)