Autor der Publikation

Temperature-dependent properties of single long-wavelength InGaAs quantum dots embedded in a strain reducing layer

, , , , , , , und . Journal of applied physics, 121 (18): 184302 (2017)
DOI: 10.1063/1.4983362

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Keine Personen gefunden für den Autorennamen Höschele, Jonatan
Eine Person hinzufügen mit dem Namen Höschele, Jonatan
 

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Structural and optical properties of InAs/(In)GaAs/GaAs quantum dots with single-photon emission in the telecom C-band up to 77 K, , , , , , , , , und 6 andere Autor(en). Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 98 (12): 125407 (2018)Single-photon emission at 1.55 mu m from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers, , , , , , , und . Applied physics letters, 111 (3): 033102 (2017)Temperature-dependent properties of single long-wavelength InGaAs quantum dots embedded in a strain reducing layer, , , , , , , und . Journal of applied physics, 121 (18): 184302 (2017)Single-photon and polarization-entangled photon emission from InAs quantum dots in the telecom C-band, , , , , , und . Nanophotonics VII, 10672, Seite 106720V. SPIE, (2018)Polarization-entangled photons from an InGaAs-based quantum dot emitting in the telecom C-band, , , , , , , und . Applied physics letters, 111 (13): 133106 (2017)Single-photon emission at 1.55 µm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/ GaAs metamorphic buffers, , , , , , , und . Applied Physics Letters, (Juli 2017)