Autor der Publikation

Kopieren Löschen Diese Publikation zur Ablage hinzufügen
Community-Eintrag
Versionsverlauf dieses Eintrags
URL
DOI
BibTeX
EndNote
APA
Chicago
DIN 1505
Harvard
MSOffice XML

SiGe PIN Photodetector for Infrared Optical Fiber Links Operating at 1.25 Gbit/s

M. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, C. Parry, M. Oehme, M. Bauer, C. Schöllhorn, und E. Kasper. Applied Surface Science, 224 (1-4): 170-174 (2004)
DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.08.038

Bitte wählen Sie eine Person um die Publikation zuzuordnen

Um zwischen Personen mit demselben Namen zu unterscheiden, wird der akademische Grad und der Titel einer wichtigen Publikation angezeigt. Zudem lassen sich über den Button neben dem Namen einige der Person bereits zugeordnete Publikationen anzeigen.

Prof. iR Dr. Gerd Blind University of Stuttgart

Gerd Reichardt University of Stuttgart

Lisa Gerdes University of Stuttgart

Jan-Niklas Gerdes University of Stuttgart

Hon. -Prof. Dr. rer. nat. Gerd Wolff University of Stuttgart

Weitere Publikationen von Autoren mit dem selben Namen

Zero biased Ge-on-Si photodetector on a thin buffer with a bandwidth of 3.2GHz at 1300nmM. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, M. Oehme, und E. Kasper. Materials Science in Semiconductor Processing, 8 (1-3): 423--427 (2005)Zero Biased Ge-on-Si Photodetector on a Thin Buffer with a Bandwidth of 3.2GHz at 1300nmM. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, M. Oehme, und E. Kasper. Materials Science in Semiconductor Processing, 8 (1-3): 423-427 (2005)SiGe PIN Photodetector for Infrared Optical Fiber Links Operating at 1.25 Gbit/sM. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, C. Parry, M. Oehme, M. Bauer, C. Schöllhorn, und E. Kasper. Applied Surface Science, 224 (1-4): 170-174 (2004)SiGe pin-photodetectors integrated on silicon substrates for optical fiber linksG. Wöhl, C. Parry, E. Kasper, M. Jutzi, und M. Berroth. IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Seite 374--375. San Francisco, CA, USA, (2003)40-Gbit/s Ge-Si photodiodesM. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, M. Oehme, und E. Kasper. Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SIRF). Digest of Papers, Seite 303--307. San Diego, CA, USA, (2005)Ge-on-Si Vertical Incidence Photodiodes with 39-GHz BandwidthM. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, M. Oehme, und E. Kasper. IEEE Photonics Technology Letters, 17 (7): 1510-1512 (2005)Special Etch Technologies for Ge/Si DevicesG. Wöhl, M. Oehme, C. Parry, E. Kasper, M. Jutzi, M. Berroth, und E. Voorneman. (2003)Monolithic SiGe Photodiode TechnologyG. Wöhl, C. Parry, E. Kasper, M. Jutzi, und M. Berroth. Joint Symposium on Opto- and Microelectronic Devices and Circuits (SODC), Seite 78--83. Stuttgart, Germany, (2002)High-speed germanium photodiodes monolithically integrated on silicon with MBEM. Oehme, J. Werner, M. Jutzi, G. Wöhl, E. Kasper, und M. Berroth. Thin Solid Films, 508 (1-2): 393--395 (2006)SiGe PIN photodetector for infrared optical fiber links operating at 1.25 Gbit/sM. Jutzi, M. Berroth, G. Wöhl, C. Parry, M. Oehme, M. Bauer, C. Schöllhorn, und E. Kasper. Applied Surface Science, 224 (1-4): 170--174 (2004)