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Epitaxial growth of LaAlO3 on Si(0 0 1) using interface engineering.

C. Merckling, G. Delhaye, M. El-Kazzi, S. Gaillard, Y. Rozier, L. Rapenne, B. Chenevier, O. Marty, G. Saint-Girons, M. Gendry, Y. Robach, und G. Hollinger. Microelectronics Reliability, 47 (4-5): 540-543 (2007)

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