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Design and demonstration of reliability-aware Ge gate stacks with 0.5 nm EOT.

C. Lu, C. Lee, T. Nishimura, und A. Toriumi. VLSIC, Seite 18-. IEEE, (2015)

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Moosung Lee University of Stuttgart

H. Binz

Dongwon Lee University of Stuttgart

Junghwa Lee University of Stuttgart

H. Bungartz

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