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Novel Normally-Off AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMT Exploiting Nanoholes Gate Structure

, , , , und . ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Seite 400-403. Piscataway, NJ, IEEE, (2022)
DOI: 10.1109/ESSDERC55479.2022.9947137

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