Artikel in einem Konferenzbericht,

3-Path 5–6 GHz 0.25 μm SiGe BiCMOS power amplifier on thin substrate

, , , , , und .
2017 13th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Seite 49-52. Piscataway, New Jersey, IEEE, (2017)
DOI: 10.1109/PRIME.2017.7974104

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