%0 Conference Paper %1 polzinger2011herstellung %A Polzinger, Bernhard %A Baumgaertner, M. %A Eberhardt, Wolfgang %A Funk, M. %A Kueck, Heinz %A Matic, Vladimir %A Mayer, Volker %A Willeck, Hannes %B Beiträge zum 22. Stuttgarter Kunststoff-Kolloquium %D 2011 %E Bonten, Christian %E Buchmeiser, Michael %K ifm_conf kueck %T Herstellung von Molded Interconnect Devices aus Hochleistungsthermoplasten durch Strukturieren und Hinterspritzen von Kupferfolien %X Die selektive und haftfeste Metallisierung von Hochleistungsthermoplasten wie beispielsweise PPS oder PEEK für mechatronische Systeme und Mikrosysteme in z.B. Medizintechnik, Lebensmitteltechnologie und chemischer Prozesstechnik stellt nach wie vor eine Herausforderung dar. Im Beitrag wird daher ein neues Verfahren zur Herstellung von Molded Interconnected Devices (MID) aus Hochleistungsthermoplasten mit feinen Leiterstrukturen vorgestellt. Dabei wird in einem ersten Schritt auf einer dünnen Trägerfolie aus Kupfer eine Hotmelt-Maske mittels Inkjet-Verfahren gedruckt. Anschließend erfolgt die galvanische Abscheidung eines Schichtstapels aus Gold, Nickel und Kupfer. Nach Strippen der Hotmelt-Maske wird die vorbereitete Trägerfolie mit einem Hochleistungsthermoplasten hinterspritzt. Abschließend erfolgt die Entfernung der Trägerfolie in einem Ätzprozess. %@ 978-3-00-034152-6

@inproceedings{polzinger2011herstellung, abstract = {Die selektive und haftfeste Metallisierung von Hochleistungsthermoplasten wie beispielsweise PPS oder PEEK für mechatronische Systeme und Mikrosysteme in z.B. Medizintechnik, Lebensmitteltechnologie und chemischer Prozesstechnik stellt nach wie vor eine Herausforderung dar. Im Beitrag wird daher ein neues Verfahren zur Herstellung von Molded Interconnected Devices (MID) aus Hochleistungsthermoplasten mit feinen Leiterstrukturen vorgestellt. Dabei wird in einem ersten Schritt auf einer dünnen Trägerfolie aus Kupfer eine Hotmelt-Maske mittels Inkjet-Verfahren gedruckt. Anschließend erfolgt die galvanische Abscheidung eines Schichtstapels aus Gold, Nickel und Kupfer. Nach Strippen der Hotmelt-Maske wird die vorbereitete Trägerfolie mit einem Hochleistungsthermoplasten hinterspritzt. Abschließend erfolgt die Entfernung der Trägerfolie in einem Ätzprozess.}, added-at = {2023-07-11T20:58:03.000+0200}, author = {Polzinger, Bernhard and Baumgaertner, M. and Eberhardt, Wolfgang and Funk, M. and Kueck, Heinz and Matic, Vladimir and Mayer, Volker and Willeck, Hannes}, biburl = {https://puma.ub.uni-stuttgart.de/bibtex/2ae9b59f2871e75572e7ff3ccda73de2b/holgerruehl}, booktitle = {Beiträge zum 22. Stuttgarter Kunststoff-Kolloquium}, editor = {Bonten, Christian and Buchmeiser, Michael}, eventtitle = {22. Stuttgarter Kunststoff-Kolloquium 16. - 17. März 2011}, interhash = {60b7144c1dc235253726b81cee20b553}, intrahash = {ae9b59f2871e75572e7ff3ccda73de2b}, isbn = {978-3-00-034152-6}, keywords = {ifm_conf kueck}, timestamp = {2023-07-11T21:02:56.000+0200}, title = {Herstellung von Molded Interconnect Devices aus Hochleistungsthermoplasten durch Strukturieren und Hinterspritzen von Kupferfolien}, venue = {Stuttgart}, year = 2011 }